近年来，精密功率放大器制造商一直在努力解决产品可靠性的问题，他们所取得的成果也各有不同。2001年，厂商开始将功率控制功能与功率放大器整合在一起，这种做法使得生产良率大幅改善。新技术的出现通常会以五年为周期，因此现在应该是出现另一波创新高潮的时刻。
对于散热要求日益严格，这是因为信号传输过程的负载周期很大，厂商还可能将多只天线整合到手机内。产业趋势的改变迫使厂商必须确保功率放大器不会受到温度过高的影响。
精密功率放大器的可靠性需要进一步改善。传统的可靠性评估方式主要依赖有限的热模型以及平均故障时间 （MTTF） 等统计资料，它们通常会以特定温度下的平均故障时间来代表产品的可靠性，这种做法其实并不适当，因为并不知道实际操作时的接合温度。为了确保功率放大器的长期操作可靠性，设计人员必须进一步提升产品的品质。
精密功率放大器的接合温度会受哪些因素影响
类似于欧姆定律的热模型，是zui常用的峰值接合温度分析法，它会以电流源 （单位为瓦特） 代表任何热源，同时为所有材料热阻抗 （单位为℃/W），这些材料还能储存热量，它们称为热容量 （J/℃），并以电容来代表。
精密功率放大器的单晶粒封装模型。在执行静态分析时，应将电容忽略，此时接合温度就如同方程式 （3） 所示，相当于环境温度Ta加上功耗与系统热阻抗的乘积。动态分析则必须将热容量一并列入考虑。
将组件的参数代入方程式（3）即可求出接合温度，例如无线网络功率放大器RF3220的参数值为：Rth=76 ℃/W;P_diss = 0.997 W;Ta = 85 ℃，将其代入方程式即可得到接合温度为160.8℃。如前所述，接合温度会受到功耗的影响，只要偏压电流、输出功率或效率改变，功耗就会跟着改变，使得接合温度出现变化。
上述分析适用于封装导热性良好并在250 mW输出功率下操作的功率放大器。由于无线网络输出功率较小，设计人员很容易将温度控制在适当范围内，使产品拥有更长寿命。